北京超弦存储器研究院罗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414564.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法是由罗杰设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法，器件包括：基片包括凸起部；场效应管单元，在垂直于基片的竖直方向上设置在凸起部上，每个场效应管单元与凸起部一一对应设置，场效应管单元包括P型场效应管子单元和N型场效应管子单元，N型场效应管子单元与P型场效应管子单元存在共享栅极。方法包括：在基片上加工凸起部和垂直于基片的多个场效应管子单元雏形，场效应管子单元雏形的两端设有骨架连接，对场效应管子单元雏形的上段和下段分别进行N型和P型掺杂处理；进行蚀刻露出场效应管子单元雏形的上段，上段设置氮氧化硅层，上段和下段连接处生长跟基片材料相同的场效应管子单元间连接，然后进行后处理工艺。
本发明授权共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种共享栅极的垂直二维互补场效应管器件，其特征在于，包括： 基片，包括凸起部； 场效应管单元，在垂直于所述基片的竖直方向上设置在所述凸起部上，每个场效应管单元与所述凸起部一一对应设置，所述场效应管单元包括P型场效应管子单元和N型场效应管子单元，所述N型场效应管子单元与所述P型场效应管子单元分别包括源极、栅极和漏极；其中，所述N型场效应管子单元与所述P型场效应管子单元存在共享栅极； 所述P型场效应管子单元呈n形，所述N型场效应管子单元呈u形；n形P型场效应管子单元下部的开口端两边分别为源极或者漏极且与所述基片的凸起部连接，n形P型场效应管子单元上部的连接端为栅极；所述u形N型场效应管子单元上部的开口端两边分别为源极或者漏极，u形N型场效应管子单元下部的连接端为栅极；所述N型场效应管子单元位于P型场效应管子单元上端且两者的栅极为一体结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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