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龙图腾网获悉广东天域半导体股份有限公司申请的专利一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116163014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211729418.7，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法是由冯禹;姚晓杰;鲁青;陈俊豪;李锡光设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法，其涉及碳化硅外延层生长领域，其包括以下步骤：S1、将碳化硅衬底进行Plasma清洗；S2、将碳化硅衬底进行第一层缓冲层生长；S3、第一次进行高温热处理修复晶格，升温到1650～1800℃，仅通入氮气，保持10～20min后，迅速降温到缓冲层反应温度；S4、进行第二层缓冲层生长；S5、第二次进行高温热处理修复晶格，升温到1650～1800℃，关闭碳源、硅源气体和氢气，仅通入氮气，保持10～20min后，迅速降温到缓冲层反应温度；S6、进行第三层缓冲层生长；S7、进行常规的外延层生长；S8、外延生长完成后，关闭反应气体，降温到700～1000℃，取出碳化硅外延片，本发明可以提高BPD转化效率，抑制外延层中BPD的形成，生产工艺简单，节约生产时长。

本发明授权一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将需要外延生长的碳化硅衬底放入等离子清洗机进行Plasma清洗； S2、将碳化硅衬底放置到碳化硅外延炉反应室内的生长位置，向反应室内逐步通入氢气，并通入小流量的硅源、碳源气体和掺杂源氮气，直到氢气流量达到60-100slm，升温至1600~1700℃，进行第一层缓冲层生长； S3、第一次进行高温热处理修复晶格，快速升温到1650~1800℃，同时关闭碳源、硅源气体和氢气，仅通入氮气，且气体流量在50-200sccm之间，保持10~20min后，迅速降温到缓冲层反应温度1600~1700℃； S4、向反应室内逐步通入氢气，并通入小流量的硅源、碳源气体和掺杂源氮气，直到氢气流量达到60-100slm，进行第二层缓冲层生长； S5、第二次进行高温热处理修复晶格，快速升温到1650~1800℃，同时关闭碳源、硅源气体和氢气，仅通入氮气，且气体流量在50-200sccm之间，保持10~20min后，迅速降温到缓冲层反应温度1600~1700℃； S6、向反应室内逐步通入氢气，并通入小流量的硅源、碳源气体和掺杂源氮气，直到氢气流量达到60-100slm，待气流流量参数达到并稳定在外延生长条件后，进行第三层缓冲层生长； S7、生长完第三缓冲层后进行常规的外延层生长； S8、完成完整结构的外延生长后，进行反应气体的关闭，同时降温到700~1000℃，取出碳化硅外延片。

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