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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种异质结型CeO2/ZnO阻变耐蚀薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111342943.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种异质结型CeO2/ZnO阻变耐蚀薄膜及其制备方法是由王吉会;薛菲;胡文彬设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结型CeO2/ZnO阻变耐蚀薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种异质结型CeO2ZnO阻变耐蚀薄膜及其制备方法，以九水合硝酸铈、六水合硝酸锌和六次甲基四胺为原料，通过恒电流电沉积法并结合水热法制备出具有微米级厚度、耐蚀性良好、电阻值可调控的异质结型CeO2ZnO阻变薄膜。本发明通过异质结性CeO2ZnO阻变薄膜中异质结界面的电子势垒阻碍腐蚀性离子向基底的扩散，并利用薄膜中氧空位的结合氧能力阻碍氧向基底的扩散，从而提高薄膜基底的耐蚀性能；并可通过施加电压调控薄膜中的氧空位浓度以利于薄膜的循环利用。

本发明授权一种异质结型CeO2/ZnO阻变耐蚀薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结型CeO2ZnO阻变耐蚀薄膜，其特征在于，按照下述步骤进行： 步骤1，采用三电极体系，以作为基底的材料为工作电极进行恒电流电沉积，以在基底材料上得到CeO2薄膜，进行恒电流电沉积时，电流密度为-1mAcm2～-3mAcm2，沉积时间为15-120min；进行恒电流电沉积时，电解液为浓度为0.02—0.2molL的硝酸铈水溶液； 步骤2，在步骤1得到的基底材料上涂覆ZnO种子溶液，在空气气氛中进行烧制，烧制温度为400-500℃，烧制时间为30-60min，随炉降至室温20—25摄氏度后，得到ZnO种子层；在ZnO种子溶液中，溶剂为乙醇，溶质为乙酸锌和乙醇胺，乙酸锌浓度为0.3-0.8molL，乙醇胺浓度为0.3-0.8molL； 步骤3，将步骤2得到的基底材料置于水热溶液中进行水热反应，水热反应温度为60-90℃，水热反应时间为3-8h；在水热溶液中，溶剂为水，溶质为硝酸锌和六次甲基四胺，硝酸锌浓度为0.01-0.025molL、六次甲基四胺浓度为0.01-0.025molL； 步骤4，将步骤3制备的异质结型CeO2ZnO阻变薄膜置于惰性气体保护的氛围中进行退火，自室温20—25摄氏度开始以1-5℃min的升温速度升温至退火温度300—450摄氏度进行退火，退火时间0.5-1.5h，退火后随炉冷却到室温20—25摄氏度后取出即可。

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