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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105232.2，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法是由倪立华;吕剑;谭秀文;张召设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法，包括将背面贴膜完成的晶圆固定在基座上，预切较长一段方形保护膜并将其置于晶圆的Taiko环边缘处；将三段式贴膜辊移动至晶圆的Taiko环边缘处粘贴，三段式贴膜辊包括贴膜辊一、贴膜辊二和贴膜辊三，贴膜辊二的两端分别与贴膜辊一和贴膜辊三活动连接；将基座旋转一周，切除多余的保护膜；开启底部气帘，底部气帘朝向晶圆的侧面，托举未粘贴的保护膜；旋转基座，同时移动三段式贴膜辊，进行Taiko环边缘滚压贴膜；继续移动三段式贴膜辊，进行Taiko环侧面滚压贴膜；关闭底部气帘，将三段式贴膜辊移出。本发明通过采用分段贴膜方法，使得晶圆Taiko环边缘及侧面也粘贴保护膜，降低了化镀过程中晶圆边缘金属镀层剥落的风险。

本发明授权一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法在权利要求书中公布了：1.一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄； 步骤二、对所述晶圆进行背面贴膜工艺； 步骤三、将背面贴膜完成的所述晶圆固定在基座上，预切较长一段方形保护膜并将其置于所述晶圆的Taiko环边缘处； 步骤四、将三段式贴膜辊移动至所述晶圆的Taiko环边缘处粘贴，所述三段式贴膜辊包括贴膜辊一、贴膜辊二和贴膜辊三，所述贴膜辊二的两端分别与所述贴膜辊一和所述贴膜辊三活动连接； 步骤五、将所述基座旋转一周，切除多余的所述保护膜； 步骤六、开启底部气帘，所述底部气帘朝向所述晶圆的侧面，托举未粘贴的所述保护膜； 步骤七、旋转所述基座，同时移动所述三段式贴膜辊，进行Taiko环边缘滚压贴膜； 步骤八、继续移动所述三段式贴膜辊，进行Taiko环侧面滚压贴膜； 步骤九、关闭所述底部气帘，将所述三段式贴膜辊移出。

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