成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司王骏获国家专利权
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龙图腾网获悉成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利晶体管、显示模组、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310179736.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权晶体管、显示模组、显示面板和显示装置是由王骏;赵永亮设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管、显示模组、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管、显示模组、显示面板和显示装置，晶体管包括：有源层，有源层具有第一导电区域与第二导电区域以及位于第一导电区域与第二导电区域之间的半导体区域；导电层设置于有源层的一侧表面，导电层和第一导电区域间隔设置，导电层和第二导电区域间隔设置；与第一导电区域电连接的源极；与第二导电区域电连接的漏极；栅极设置于有源层的另一侧。在本发明的晶体管中，导电层设置于有源层的一侧表面，导电层和第一导电区域、第二导电区域间隔设置，栅极设置于有源层的另一侧。通过在有源层的一侧表面设置导电层可以形成耗尽层电容，增加金属氧化物TFT的亚阈值摆幅，降低OLED发光亮度对电压波动的敏感度，提高显示的均性与显示效果。
本发明授权晶体管、显示模组、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 有源层，所述有源层具有第一导电区域与第二导电区域以及位于所述第一导电区域与所述第二导电区域之间的半导体区域； 导电层，所述导电层设置于所述有源层的一侧表面，所述导电层和所述第一导电区域间隔设置，所述导电层和所述第二导电区域间隔设置；在所述有源层的一侧表面设置所述导电层形成耗尽层电容； 与所述第一导电区域电连接的源极； 与所述第二导电区域电连接的漏极； 栅极，所述栅极设置于所述有源层的另一侧； 所述导电层在所述有源层上的正投影与所述第一导电区域间隔设置，所述导电层在所述有源层上的正投影与所述第二导电区域间隔设置。
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