上海华力集成电路制造有限公司黄然获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善金属硅化物均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310172491.7，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权改善金属硅化物均匀性的方法是由黄然设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善金属硅化物均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善金属硅化物均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有栅极层以及位于栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于第一侧墙上的第二侧墙，对衬底进行源漏区的离子注入；其中，第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；去除第二叠层，使得栅极层间的间距增大；在衬底上形成金属层，之后利用退火工艺和刻蚀工艺在栅极层间的衬底上形成金属硅化物。本发明扩大了栅极间距，可显著缩小填充深宽比，从而提升栅极间距较小设计结构的金属溅射薄膜的厚度均匀性，实现接触电阻的面内均匀性改善目标，提升了后续通孔工艺窗口，使产品工艺稳定性及良率得到改善。
本发明授权改善金属硅化物均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属硅化物均匀性的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有栅极层以及位于所述栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于所述第一侧墙上的第二侧墙，对所述衬底进行源漏区的离子注入；其中，所述第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；所述第一侧墙的材料为SiCN，第一叠层的材料为二氧化硅，第二叠层的材料为氮化硅； 步骤二、去除所述第二叠层，使得所述栅极层间的间距增大；步骤三、在所述衬底上形成金属层，之后利用退火工艺和刻蚀工艺在所述栅极层间的所述衬底上形成金属硅化物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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