舜宇奥来半导体光电(上海)有限公司尹正坤获国家专利权
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龙图腾网获悉舜宇奥来半导体光电(上海)有限公司申请的专利增强现实波导结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310035433.X，技术领域涉及：G02B6/00；该发明授权增强现实波导结构是由尹正坤;张晴雯;高一峰;沈健;陈远设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强现实波导结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种增强现实波导结构。增强现实波导结构包括波导片和设置在波导片上的耦入光栅和耦出光栅，耦出光栅为二维光栅，二维光栅包括多个子光栅，耦出光栅被分为第一耦出区和第二耦出区，第一耦出区和第二耦出区中均具有多个子光栅，第一耦出区中的多个子光栅相同，第二耦出区中的多个子光栅相同，第一耦出区中的多个子光栅与第二耦出区中的多个子光栅不同。本发明解决了现有技术中的增强现实波导结构在全视场下存在高效率和均匀性难以同时兼顾的问题。
本发明授权增强现实波导结构在权利要求书中公布了：1.一种增强现实波导结构，包括波导片和设置在所述波导片上的耦入光栅10和耦出光栅，所述耦出光栅为二维光栅，其特征在于，所述二维光栅包括多个子光栅23，所述耦出光栅被分为第一耦出区21和第二耦出区22，所述第一耦出区21和所述第二耦出区22中均具有多个所述子光栅23，所述第一耦出区21中的多个所述子光栅23相同，所述第二耦出区22中的多个所述子光栅23相同，所述第一耦出区21中的多个所述子光栅23与所述第二耦出区22中的多个所述子光栅23不同；所述子光栅23包括第一结构231和第二结构232，所述第一结构231和所述第二结构232至少部分结构重合设置，所述第一结构231和所述第二结构232的大小不同，所述第一结构231和所述第二结构232的高度相同或不相同；所述第一结构231和所述第二结构232在所述波导片上的投影重合面积小于所述第一结构231和所述第二结构232中较小的结构在所述波导片上的投影面积的一半。
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