联合微电子中心有限责任公司彭雨获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利半导体器件接触孔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525714.5，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件接触孔的制备方法是由彭雨;冯文慿;陈宗芬;孔得力;邓晓国设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件接触孔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件接触孔的制备方法，包括在层间介质层、硬掩模层与先进图形掩膜层，在将光阻图形通过刻蚀转移至硬掩膜层形成图形转移后，进行原子层沉积掩膜侧墙实现关键尺寸的精准补偿与控制。本发明通过工艺流程的优化，实现图形转移的稳定性与关键尺寸的补偿与控制，本发明可以精准控制关键尺寸，进而保证填充于接触孔中金属总电阻值的稳定性，提高工艺窗口和产品良品率。
本发明授权半导体器件接触孔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件接触孔的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底及设置于所述衬底上的电接触点，所述衬底上覆盖有层间介质层； 2于所述层间介质层上形成硬掩膜层； 3于所述硬掩膜层上形成先进图形掩膜层、抗反射层和图形光阻； 4基于所述图形光阻依次对所述抗反射层、先进图形掩膜层及硬掩膜层进行刻蚀，以将图形转移至所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层中形成第一刻蚀图形窗口； 5对所述第一刻蚀图形窗口进行尺寸测量，计算出当前图形窗口宽度与目标宽度的宽度差； 6在所述衬底上进行原子层沉积硬掩膜材料，以在所述第一刻蚀图形窗口的侧壁形成掩膜侧墙，基于所述宽度差控制所述原子层沉积的掩膜侧墙的宽度，使所述第一刻蚀图形窗口的宽度微缩至目标宽度，以形成第二刻蚀图形窗口； 7基于所述第二刻蚀图形窗口继续刻蚀所述层间介质层，以在所述层间介质层中形成显露所述电接触点的接触孔； 所述原子层沉积的掩膜侧墙的宽度小于或等于所述第一刻蚀图形窗口宽度的十分之一，所述原子层沉积的掩膜侧墙的高度大于或等于所述原子层沉积的硬掩膜材料的厚度的十倍。
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