华为技术有限公司李小波获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种存储器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102949.6，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权一种存储器件及其制造方法、电子设备是由李小波;秦健鹰;杨喜超;胡小剑设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备，存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞，存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层，在隔离沟槽的侧壁上，铁电层具有凸出导体层的凸出部分，导体塞与铁电层的凸出部分接触，而与导体层通过绝缘材料隔离开，这样铁电层、与铁电层接触的导体层、与铁电层接触的导体塞可以构成一个存储单元，互不接触的导体层和导体塞可以作为两个电极，也就是说，本申请实施例中通过铁电层和导体层的堆叠实现铁电存储器的三维化，提高器件的存储密度，同时降低刻蚀难度，提高刻蚀精度以及可靠性，提高器件性能。
本发明授权一种存储器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的存储层；所述存储层包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层； 贯穿所述存储层的隔离沟槽；在所述隔离沟槽的侧壁上所述铁电层具有凸出所述导体层的凸出部分，所述隔离沟槽中填充有绝缘材料； 纵向贯穿所述绝缘材料的导体塞；所述导体塞与所述铁电层的凸出部分接触，与所述导体层通过所述绝缘材料隔离开。
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