富士电机株式会社松下浩二获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利传感器装置和传感器装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052146.9，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权传感器装置和传感器装置的制造方法是由松下浩二设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器装置和传感器装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种传感器装置，其包括半导体基板、玻璃基板、物理量传感器及与物理量传感器电连接的焊盘部，设置于半导体基板和玻璃基板中的至少一方的凹部通过玻璃基板中的第1接合部与半导体基板中的第2接合部相接合而被密封，物理量传感器和焊盘部被配置在由半导体基板和玻璃基板所密封的密封空间中，玻璃基板在第1接合部中具有阳离子浓度比玻璃基板的阳离子浓度要小的阳离子缺乏层。
本发明授权传感器装置和传感器装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器装置，其特征在于， 包括：半导体基板；玻璃基板；物理量传感器；以及与所述物理量传感器电连接的焊盘部， 设置于所述半导体基板和所述玻璃基板中的至少一方的凹部通过将所述玻璃基板中的第1接合部与所述半导体基板中的第2接合部相接合而被密封， 所述物理量传感器和所述焊盘部被配置在由所述半导体基板和所述玻璃基板所密封的密封空间中， 所述凹部具有俯视时设置在所述半导体基板和所述玻璃基板中至少一方的中央侧的第一凹部、以及俯视时设置在所述第一凹部的外侧的第二凹部，所述第一凹部的从所述玻璃基板和所述半导体基板相接的面开始的高度为第一高度，所述第二凹部的高度是比所述第一高度要低的第二高度， 所述焊盘部被配置在所述第二凹部上， 所述玻璃基板在所述第1接合部中具有阳离子浓度比所述玻璃基板的阳离子浓度要小的阳离子缺乏层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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