硅电子股份公司L·贝克尔获国家专利权
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龙图腾网获悉硅电子股份公司申请的专利在衬底上沉积硅锗层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115997272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053549.5，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权在衬底上沉积硅锗层的方法是由L·贝克尔;P·施托克设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本在衬底上沉积硅锗层的方法在说明书摘要公布了：一种在衬底1上异质外延沉积硅锗层3的方法，包括：在衬底1的顶部设置掩模层4；去除所述掩模层4的外侧部分，以提供到达所述衬底的环形自由表面6的通路，其中所述环形自由表面6位于所述衬底的边缘区域中并围绕所述掩模层4的剩余部分5；在所述衬底的环形自由表面6的顶部沉积圆筒形硅锗层2；去除所述掩模层的剩余部分；以及在所述衬底1的顶部和所述圆筒形硅锗层2的顶部沉积所述硅锗层3，所述硅锗层3接触所述圆筒形硅锗层2的内侧表面。
本发明授权在衬底上沉积硅锗层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在衬底1上异质外延沉积硅锗层3的方法，所述硅锗层3具有组分Si1-xGex，其中0.01≤x1，并且所述衬底1为硅单晶晶圆或绝缘体上硅晶圆，所述方法包括： 在所述衬底1的顶部设置掩模层4，其特征在于， 去除所述衬底的边缘区域中的所述掩模层4，以提供到达所述衬底的环形自由表面6的通路，其中所述环形自由表面6位于所述衬底的边缘区域中并围绕所述掩模层4的剩余部分5； 在所述衬底1的环形自由表面6的顶部沉积由弛豫或部分弛豫的硅锗层构成的边缘贮存器； 去除所述掩模层4的剩余部分5；以及 在所述衬底1的顶部以及所述边缘贮存器的顶部沉积所述硅锗层3，所述硅锗层3接触所述边缘贮存器的内侧表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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