西安电子科技大学薛军帅获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211607532.2，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法是由薛军帅;李天浩;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;李泽辉;郭壮;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延级氮化物器件单片异构集成电路，主要解决现有声表面波器件工作频段不易调控且难与高电子迁移率晶体管外延异构集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、极化层，叉指电极与其下方对应的极化层构成氮化物声表面波器件；源、漏电极与沟道层、插入层、势垒层、栅电极及栅电极下方对应的极化层构成氮化物高电子迁移率晶体管；该声表面波器件位于晶体管栅源导通区，两者共用极化层且通过叉指电极与栅电极和源电极之间填充的钝化层隔离。本发明通过调节高电子迁移率晶体管二维电子气浓度来调控声表面波器件的工作频段和带宽，易实现氮化物器件单片外延集成和异构铁电集成，可用于滤波‑微波射频前端系统。
本发明授权外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种外延级氮化物器件单片异构集成电路，其特征在于：自下而上包括衬底1、成核层2、沟道层3、插入层4、势垒层5、极化层6，极化层6上部设置有栅电极和叉指电极； 所述叉指电极与其下方对应的极化层6构成氮化物声表面波器件； 所述沟道层3至势垒层5的欧姆接触区上设置源电极和漏电极，该源、漏电极与沟道层3、插入层4、势垒层5、栅电极及栅电极下方对应的极化层6构成氮化物高电子迁移率晶体管； 所述氮化物声表面波器件设置在氮化物高电子迁移率晶体管栅源导通区的势垒层5上，且叉指电极分别与栅电极和源电极之间填充有钝化层7，以实现对这两个器件的隔离，通过调节氮化物高电子迁移率晶体管的二维电子气浓度实现对氮化物声表面波器件工作频段、带宽和边带抑制比的调控。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励