株式会社电装泷泽伸获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052020.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由泷泽伸;野中裕介;合田健太;原田峻丞设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在具有双栅极的沟槽栅构造的半导体装置中，第1杂质区域13从单元部1延伸设置至外周部2，在层间绝缘膜21中，在外周部2中的比单元部1靠一个方向侧的部分，形成有使第1杂质区域13露出的第2接触孔21b。并且，第1电极22在外周部2中经由第2接触孔21b而与第1杂质区域13电连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，形成有具有双栅极的沟槽栅构造的半导体元件，其特征在于， 具有形成有上述半导体元件的单元部和将上述单元部包围的外周部， 上述单元部具有： 第1导电型的漂移层； 第2导电型的第1杂质区域，形成在上述漂移层上； 第1导电型的第2杂质区域，形成在上述第1杂质区域内的该第1杂质区域的表层部，杂质浓度比上述漂移层高； 多个上述沟槽栅构造，在以一个方向为长度方向且从上述第2杂质区域将上述第1杂质区域贯通而达到上述漂移层的呈条状配置的多个栅极沟槽内分别隔着绝缘膜依次层叠有屏蔽电极、中间绝缘膜以及栅极电极而被设为上述双栅极； 第1导电型或第2导电型的高浓度层，隔着上述漂移层而形成在上述第1杂质区域的相反侧，杂质浓度比上述漂移层高； 层间绝缘膜，配置在上述沟槽栅构造与上述第1杂质区域及上述第2杂质区域之上，形成有与上述第1杂质区域及上述第2杂质区域相连的第1接触孔； 第1电极，经由上述第1接触孔而与上述第2杂质区域及上述第1杂质区域电连接；以及 第2电极，与上述高浓度层电连接， 上述第1杂质区域从上述单元部延伸设置至上述外周部， 在上述层间绝缘膜中，在上述外周部中的比上述单元部靠上述一个方向侧的部分，形成有使上述第1杂质区域露出的第2接触孔， 上述第1电极在上述外周部中经由上述第2接触孔而与上述第1杂质区域电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励