华灿光电(浙江)有限公司彭青获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211741345.3，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权发光二极管芯片及其制备方法是由彭青;郝亚磊;高艳龙;尹灵峰;王江波;梅劲设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括衬底、发光结构和增透层，所述发光结构和所述增透层分别位于所述衬底相对的两面，所述增透层包括多个高折射率层和多个低折射率层，所述多个高折射率层和所述多个低折射率层交替层叠设置在所述衬底上，所述增透层远离所述衬底的表面具有多个凹孔，使得光线也可以从凹孔的孔壁射出，并通过凹孔的孔壁向外反射，凹孔可以使一部分光线更快地射出增透层，减少这部分光线在增透层中的折射和反射次数，从而降低光损耗，进一步提升发光二极管芯片的亮度。
本发明授权发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底10、发光结构20和增透层30，所述发光结构20和所述增透层30分别位于所述衬底10相对的两面，所述增透层30包括多个高折射率层31和多个低折射率层32，所述多个高折射率层31和所述多个低折射率层32交替层叠设置在所述衬底10上，所述增透层30远离所述衬底10的表面具有多个凹孔30a； 所述凹孔30a的盲端位于所述低折射率层32中； 所述增透层30靠近所述衬底10的一侧为所述高折射率层31，所述高折射率层31的折射率高于所述衬底10的折射率，远离所述衬底10的一侧为所述低折射率层32； 所述凹孔30a开设在除最靠近所述衬底10的1个所述高折射率层31和1个所述低折射率层32之外的所述高折射率层31和所述低折射率层32上。
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