华邦电子股份有限公司陈宗仁获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体内存装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111192484.0，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权半导体内存装置是由陈宗仁设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体内存装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体内存装置，包括内存晶胞阵列、开关电路以及感测电路。内存晶胞阵列包括多个内存晶胞。开关电路包括至少一开关。每个开关接收控制信号，并且受控于控制信号而导通或断开。当进行抹除验证时，感测电路经由开关电路依序接收每个内存晶胞产生的抹除验证电流，以对每个内存晶胞的抹除状态进行验证。
本发明授权半导体内存装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体内存装置，其特征在于，包括： 内存晶胞阵列，包括多个内存晶胞； 开关电路，耦接所述内存晶胞阵列，包括至少一开关，各所述至少一开关接收控制信号，并且受控于所述控制信号而导通或断开；以及 感测电路，耦接所述开关电路，当进行抹除验证时，所述感测电路经由所述开关电路依序接收各所述多个内存晶胞产生的抹除验证电流，以对各所述多个内存晶胞的抹除状态进行验证， 当在上电期间通过将读取电压施加至所述内存晶胞阵列来进行读取操作时，所述感测电路经由所述开关电路同时接收各所述多个内存晶胞产生的读取电流，并且将由所述读取电流加总而成的加总电流与基准电流进行比较， 其中，在上电期间的所述读取电压小于用于验证所述抹除状态的抹除验证电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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