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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种存储器的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211731083.2，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权一种存储器的操作方法是由童浩;龙少杰;缪向水设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器的操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器的操作方法，该操作方法包括如下步骤：接收操作指令：写入操作和刷新操作；若操作指令为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压；若为刷新操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压，并检测被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压。本发明在进行数据写入前无需进行读取操作，可有效缩短写入过程的操作流程，提高写入效率。

本发明授权一种存储器的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括相互垂直排布的字线、位线及位于字线与位线之间阵列排布的存储单元，所述存储单元包括串联的OTS选通管和电容，OTS选通管具有阈值开启电压Vth和保持电压Vhold，所述操作方法包括如下步骤： 1实时接收外部控制器发来的操作指令，所述操作指令包括被选中存储单元的位置信息和操作指令类型信息，所述操作指令类型信息包括写入状态1操作、写入状态0操作和刷新操作，所述刷新操作为外部控制器定时对存储器发出的刷新指令，刷新周期为T； 2根据所述操作指令中的操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，若接收到的操作指令类型信息为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为刷新操作，则执行步骤3； 3对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压，并检测所述被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压。

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