山东华光光电子股份有限公司朱振获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111028270.X，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法是由朱振;赵凯迪;李志虎设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法。所述方法包括步骤如下：在GaAs基大功率激光器芯片的P面粘附一层石墨烯薄膜，然后采用石墨烯‑In52Sn48合金混合焊料，通过低温焊接的方法封装至基础热沉上。本发明在芯片P面覆盖一层石墨烯薄膜，再通过石墨烯‑In52Sn48合金混合焊料焊接至基础热沉上，增大了芯片与热沉的接触面积，石墨烯材料的高热导率可以快速的将有源区所产生的废热进行传递到热沉中，降低了芯片的热梯度，极大地加强了封装模块的散热效果，相较于传统方法封装的GaAs基大功率激光器可靠性、稳定性和散热效果得到了明显的增强，同时提高了激光器使用寿命。
本发明授权一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法，其特征在于，包括步骤如下： 在GaAs基大功率激光器芯片的P面粘附一层石墨烯薄膜，然后采用石墨烯-In52Sn48合金混合焊料，通过低温焊接的方法封装至基础热沉上； 其中，所述石墨烯-In52Sn48合金混合焊料按照如下方法制备： 将石墨烯纳米片和In52Sn48合金按照体积比为5~10：90~95混合，然后用行星式球磨机在N2保护下球磨48h，每1h停止0.5h，球料比为107：1，球磨完成后将石墨烯纳米片和In52Sn48合金混合物通过高压压模机压成焊片，得到石墨烯-In52Sn48合金混合焊料。
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