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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利碳化硅半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209561.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅半导体器件是由斋藤顺设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体器件在说明书摘要公布了：一种碳化硅半导体器件，其包括具有第一导电类型区4、栅沟槽结构、层间绝缘膜9、第一电极10和凹部12的半导体元件。栅沟槽结构具有栅沟槽6。第一电极包括金属层10a、阻挡金属10b、电极层10c、和突起10bc。突起具有分别布置在栅沟槽的两侧的第一突出部和第二突出部。电极层具有嵌入在凹部中的部分。在栅沟槽的宽度方向上第一突出部的梢端与第二突出部的梢端的距离W1小于电极层在所述突起下方的部分的宽度W2。

本发明授权碳化硅半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件，包括： 半导体元件，包括 衬底，其由碳化硅制成并且是第一导电类型或第二导电类型，漂移层，其是所述第一导电类型并且布置在所述衬底上，所述漂移层具有比所述衬底低的杂质浓度， 沟道层，其是所述第二导电类型并且布置在所述漂移层上，所述沟道层具有表面层部分，接触区布置在所述表面层部分处， 第一导电类型区，其是所述第一导电类型并且具有比所述漂移层高的杂质浓度，所述第一导电类型区布置在所述沟道层上与所述接触区不同的位置处， 栅沟槽结构，其具有栅沟槽、栅绝缘膜和栅电极，所述栅沟槽穿透所述第一导电类型区和所述沟道层，所述栅绝缘膜布置在所述栅沟槽的内壁表面处，所述栅电极布置在所述栅绝缘膜上， 层间绝缘膜，其在所述栅沟槽的内部覆盖所述栅电极， 第一电极，其电连接到所述接触区和所述第一导电类型区， 第二电极，其布置在更靠近所述衬底的背面的一侧，以及 凹部，其由所述层间绝缘膜的顶表面与所述第一导电类型区的顶表面之间的台阶提供， 其中，所述第一电极包括： 金属层，其布置在所述接触区和所述第一导电类型区中的每一个的表面上； 阻挡金属，其布置在所述金属层上和所述凹部内；和 电极层，其布置在所述阻挡金属上， 其中，所述阻挡金属包括： 布置在所述凹部内的第一阻挡金属部；和 布置在所述金属层上的第二阻挡金属部， 其中，在所述第一阻挡金属部与所述第二阻挡金属部之间设置有台阶， 其中，所述第一电极还包括布置在所述第二阻挡金属部处并且在所述栅沟槽的宽度方向上朝向所述栅沟槽的内部突出的突起， 其中，所述突起具有分别布置在所述栅沟槽的所述宽度方向上的两侧处的第一突出部和第二突出部， 其中，所述电极层具有嵌入在所述凹部中在所述突起下方的部分，以及 其中，在所述栅沟槽的宽度方向上所述第一突出部的梢端与所述第二突出部的梢端之间的距离W1小于所述电极层的在所述突起下方的部分在所述栅沟槽的宽度方向上的宽度W2。

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