广州华星光电半导体显示技术有限公司朱小峰获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689701.1，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板是由朱小峰设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板，其中阵列基板的制备方法通过将有源层上以及有源层上的源极和漏极均分开制作，具体先采用构图工艺刻蚀形成源极或漏极的其中一个，以及刻蚀部分有源层以形成有源层的主图形，并在制作完成的源极或漏极上沉积第一绝缘层并通过构图工艺使第一绝缘层包覆该源极或漏极，此后再次在主图形上形成有源层图形的补偿图形，主图形和补偿图形之间形成有沟道槽，沟道槽内填充有部分第一绝缘层，此时沟道槽长度即为第一绝缘层的宽度，制作完成有源层后再制备源极或漏极的另一个，使源极和漏极被沟道槽中的第一绝缘层隔开，因此控制减小第一绝缘层形成于沟道槽中的宽度以进一步将沟道槽的长度缩小。
本发明授权阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和有源层； 在所述有源层上形成源极或漏极的其中一个以及刻蚀部分所述有源层以形成所述有源层的主图形； 在所述源极或漏极的其中一个上形成图案化的第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述源极或漏极的其中一个； 在所述主图形上形成所述有源层的补偿图形，所述主图形和所述补偿图形之间形成有沟道槽，所述沟道槽内填充有部分所述第一绝缘层； 在所述有源层的补偿图形上形成所述源极或所述漏极的另一个。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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