山东浪潮华光光电子股份有限公司张义获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110962776.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法是由张义;王成新;李毓锋;王建立设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法。所述器件由下至上依次包括：复合衬底、GaN高阻层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN钝化层；所述复合衬底为锗钼复合衬底或锗钨复合衬底或锗铪复合衬底，其表面溅射有ALN层，热膨胀系数是GaN热膨胀系数的0.95～1.05倍。本发明还提供基于复合衬底的HEMT器件的制备方法。本发明在复合衬底上生长上制备HEMT器件，复合衬底具有高导热系数，并且在复合衬底上溅射ALN层，在彻底解决现有HEMT器件存在的散热问题的同时，解决了衬底与HEMT器件晶格失配问题，降低了应力，克服了生长界面易出现裂纹的问题，提高了HEMT器件的性能和良品率。
本发明授权一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合衬底的HEMT器件，其特征在于，由下至上依次包括：复合衬底、GaN高阻层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN钝化层； 所述复合衬底为锗钼复合衬底或锗钨复合衬底或锗铪复合衬底，其表面溅射有ALN层；所述复合衬底的热膨胀系数是GaN热膨胀系数的0.95~1.05倍； 所述复合衬底的厚度为400~8000μm；所述ALN层的厚度为10~500nm；所述GaN高阻层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN钝化层的厚度分别为500~2000nm、500~2000nm、10~300nm、0.5~2nm、10~40nm和1~5nm。
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