上海新微半导体有限公司沈硕珩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211354658.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件结构及其制备方法是由沈硕珩;许东设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，所述半导体器件结构包括：衬底层、生长阻挡层、外延结构；衬底层的材料为110单晶硅；衬底层设置多个相间的凹槽，生长阻挡层覆盖凹槽的第一侧壁，外延结构覆盖凹槽的第二侧壁并突出于凹槽形成脊形外延部。本发明通过使用110单晶硅，使外延结构可以在侧壁生长有效的外延面，改善器件在晶圆上的空间利用率，提高单位晶圆可容纳的HEMT器件密度；同时利用110单晶硅上的外延生长结构，使脊形外延部可以与衬底层没有接触，从而降低层间应力产生位错的概率，降低器件对缓冲层的依赖；另外通过侧壁选区外延生长技术，降低了外延结构外延生长产生的位错密度，改善器件外延结构质量。
本发明授权一种半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供材料为110单晶硅的一衬底层； 将所述衬底层图形化形成多个相间的凹槽，每个所述凹槽包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第二侧壁所在的平面为111晶面； 于多个所述凹槽的所述第一侧壁设置生长阻挡层；相邻两凹槽之间包括一台面，所述凹槽包括一底面，所述生长阻挡层覆盖在多个所述凹槽的所述第一侧壁、所述底面和与所述第一侧壁相接的所述台面上； 于覆盖有所述生长阻挡层的多个所述凹槽的所述第二侧壁设置外延结构，所述外延结构突出于所述凹槽形成脊形外延部，所述脊形外延部之间相互隔离，所述外延结构的所述脊形外延部沿第二方向设置在所述台面的所述生长阻挡层上，所述第二方向垂直于所述凹槽的底面；生长阻挡层完全覆盖所述凹槽的底面，以使外延结构只生长在第二侧壁上；所述外延结构包括三五族化合物半导体层。
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