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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种用于硅片边缘的清洗方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211736863.6，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种用于硅片边缘的清洗方法和装置是由贺鑫设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于硅片边缘的清洗方法和装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种用于硅片边缘的清洗方法和装置，所述清洗方法包括：通过清洗单元对硅片表面进行清洗；在清洗完成后，使用检测单元对所述硅片表面的边缘部分进行污染物检测，甄别所述硅片表面的边缘部分中污染物超标的再清洁区域，并获取所述再清洁区域的位置信息；控制单元依据所述位置信息控制所述清洗单元对所述硅片进行再次清洗；再次清洗结束后，所述检测单元对所述硅片表面进行污染物检测，确认所述硅片表面的边缘部分中不存在污染物超标的所述再清洁区域。通过对硅片表面的边缘部分进行针对性地清洗，确保硅片边缘的每一处位置都能够符合清洁程度的工艺要求。

本发明授权一种用于硅片边缘的清洗方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种用于硅片边缘的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤： 通过清洗单元对硅片表面进行清洗； 在清洗完成后，使用检测单元对所述硅片表面的边缘部分进行污染物检测，甄别所述硅片表面的边缘部分中污染物超标的再清洁区域，并获取所述再清洁区域的位置信息； 控制单元依据所述位置信息控制所述清洗单元对所述硅片进行再次清洗； 再次清洗结束后，所述检测单元对所述硅片表面进行污染物检测，确认所述硅片表面的边缘部分中不存在污染物超标的所述再清洁区域， 其中，所述清洗单元由驱动单元驱动，所述清洗单元在清洗开始前处于初始位置， 其中，所述控制单元依据所述位置信息控制所述清洗单元对所述硅片进行再次清洗，具体包括以下步骤： 所述控制单元依据所述位置信息向所述驱动单元发送控制信号； 所述驱动单元基于所述控制信号驱动所述清洗单元的第二管路从所述初始位置移动至所述再清洁区域并向所述再清洁区域喷射清洗液； 固定清洗时长后清洗结束，所述驱动单元驱动所述第二管路回到所述初始位置。

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