华虹半导体(无锡)有限公司朱朕获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利沟槽的填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511647.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权沟槽的填充方法是由朱朕;金立培;陈辰;侯照海设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽的填充方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽的填充方法，包括：将晶圆放置于CVD机台的真空吸盘上，晶圆用于集成沟槽型MOS器件，晶圆上形成有沟槽，晶圆和沟槽表面形成有氧化层，真空吸盘设置于CVD机台的反应腔室中；对晶圆进行预热处理，在进行预热处理时，CVD机台的反应腔室中的压力值为第一压力值；对CVD机台的反应腔室进行抽真空处理，开启真空吸盘的真空吸附功能，将CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第二压力值；对CVD机台的反应腔室进行抽真空处理；将CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第三压力值，第三压力值大于第二压力值；在晶圆上通过CVD工艺沉积二氧化硅层。本申请通过真空吸盘对晶圆进行应力释放预处理后，可以有效增加吸盘的吸附能力，使晶圆与吸盘紧密贴合。
本发明授权沟槽的填充方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的填充方法，其特征在于，包括： 将晶圆放置于CVD机台的真空吸盘上，所述晶圆用于集成沟槽型MOS器件，所述晶圆上形成有沟槽，所述晶圆和所述沟槽表面形成有氧化层，所述真空吸盘设置于所述CVD机台的反应腔室中； 将所述CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第一压力值； 将所述晶圆从真空吸盘上顶起，进行预热处理，预热处理结束后将所述晶圆降下放置回真空吸盘； 对所述CVD机台的反应腔室进行抽真空处理，开启所述真空吸盘的真空吸附功能， 将所述CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第二压力值； 对所述CVD机台的反应腔室进行抽真空处理； 将所述CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第三压力值，所述第三压力值大于所述第二压力值，所述第一压力值大于所述第二压力值且小于所述第三压力值； 在所述晶圆上通过CVD工艺沉积二氧化硅层。
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