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龙图腾网获悉上海江波龙微电子技术有限公司申请的专利一种NAND闪存器件的缺陷修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111130162.3，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权一种NAND闪存器件的缺陷修复方法是由丁知民;马庆容;楼冰泳;满佳喜设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NAND闪存器件的缺陷修复方法在说明书摘要公布了：一种NAND闪存器件的缺陷修复方法，包括：从所述NAND闪存器件的多个块、多个数据列和多个冗余列中识别有缺陷的块、数据列和冗余列，生成缺陷地图；根据所述缺陷地图确定所述NAND闪存器件中是否存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列；当所述NAND闪存器件中存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列时，确定是否存在可以进行坏列淘汰处理的有缺陷的块；根据基于所述缺陷地图计算得到的块权重，选择优先进行坏列淘汰处理的有缺陷的块；对选中的有缺陷的块的块内坏列进行坏列淘汰处理；所述坏列淘汰处理包括：对于所述选中的有缺陷的块中的有缺陷的数据列，使用至少在所述选中的有缺陷的块中不属于坏列的冗余列来替换所述有缺陷的数据列。

本发明授权一种NAND闪存器件的缺陷修复方法在权利要求书中公布了：1.一种用于NAND闪存器件的缺陷修复方法，用于包括多个块、多个数据列和多个冗余列的NAND闪存器件；其特征在于，所述方法包括以下步骤： 从所述NAND闪存器件的块、数据列和冗余列中识别有缺陷的块、数据列和冗余列，生成缺陷地图； 根据所述缺陷地图确定所述NAND闪存器件中是否存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列； 当所述NAND闪存器件中存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列时，确定是否存在能够进行坏列淘汰处理的有缺陷的块； 根据基于所述缺陷地图计算得到的块权重，选择优先进行坏列淘汰处理的有缺陷的块； 对选中的有缺陷的块的块内坏列进行坏列淘汰处理；所述坏列淘汰处理包括：对于所述选中的有缺陷的块中的有缺陷的数据列，使用至少在所述选中的有缺陷的块中不属于坏列的冗余列来替换所述有缺陷的数据列，其中，所述至少在所述选中的有缺陷的块中不属于坏列的冗余列包括完全完好的冗余列和在所述选中的有缺陷的块中不属于坏列，但是在至少一个其他的块中有缺陷的冗余列。

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