买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211445399.5，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法，包括：步骤一、在底层结构上的第一氧化层的表面形成铝层，形成光刻胶图形。步骤二、采用第一次干法刻蚀工艺对铝层进行刻蚀以及对第一氧化层进行过刻蚀，过刻蚀的刻蚀气体采用含氯气体，以减少聚合物累积。步骤三、进行灰化处理以去除光刻胶图形以及聚合物，在灰化处理中还包括采用循环冲刷来剥离残留的光刻胶图形和聚合物。步骤四、在酸槽中进行湿法剥离工艺，湿法剥离工艺将湿法刻蚀时间分割从而形成多次湿法分段刻蚀，在各次湿法分段刻蚀完成后都进行多次冲洗，通过湿法分段刻蚀减少每次刻蚀时间，使酸槽的酸液保持新鲜，提高剥离效果。本发明能提高对厚度刻蚀中产生的聚合物的去除效果。

本发明授权去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供表面形成有第一氧化层的底层结构，在所述第一氧化层的表面形成铝层，在所述铝层的表面形成光刻胶并对所述光刻胶进行图形化形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将需要刻蚀的区域打开； 步骤二、采用第一次干法刻蚀工艺对所述铝层进行刻蚀以及对所述铝层底部的所述第一氧化层进行过刻蚀，所述过刻蚀的刻蚀气体采用含氯气体，以减少聚合物累积； 步骤三、进行灰化处理以去除所述光刻胶图形以及所述聚合物，在所述灰化处理中还包括采用循环冲刷来剥离残留的所述光刻胶图形和所述聚合物，通过所述循环冲刷来增加所述聚合物的去除能力； 所述循环冲刷中的单次循环的分步骤包括： 采用DIW冲刷； 采用DIW加氧气加氮气冲刷； 步骤四、在酸槽中进行湿法剥离工艺，所述湿法剥离工艺将湿法刻蚀时间分割从而形成多次湿法分段刻蚀，在各次所述湿法分段刻蚀完成后都进行多次冲洗，通过所述湿法分段刻蚀减少每次刻蚀时间，使所述酸槽的酸液保持新鲜，提高剥离效果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。