西安奕斯伟材料科技有限公司郭宇轩获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司申请的专利用于改善硅片表面平坦度的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582877.7，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权用于改善硅片表面平坦度的方法及系统是由郭宇轩设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于改善硅片表面平坦度的方法及系统在说明书摘要公布了：本公开涉及用于改善硅片表面平坦度的方法及系统，该方法包括：检测硅片表面的平坦度以确定包括与该平坦度相关联的最低点的低凹区域的位置；使该表面被覆盖特定材料层并去除特定材料层的与该位置对应的部分；在覆盖有特定材料层的该表面上沉积含硅层，其中，含硅层的抛光去除速率小于单晶硅的抛光去除速率；去除特定材料层的其余部分；以及对已去除特定材料层的其余部分的硅片的该表面进行抛光。通过本公开的方法和系统，实现了对硅片表面平坦度的改善。
本发明授权用于改善硅片表面平坦度的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于改善硅片表面平坦度的方法，其特征在于，包括： 检测硅片表面的平坦度以确定包括与所述平坦度相关联的最低点的低凹区域的位置； 使所述表面被覆盖特定材料层并去除所述特定材料层的与所述位置对应的部分； 在覆盖有所述特定材料层的所述表面上沉积含硅层，其中，所述含硅层的抛光去除速率小于单晶硅的抛光去除速率； 去除所述特定材料层的其余部分；以及 将所述硅片的背面吸附在吸附平面上，以使所述背面变形为平面并使所述含硅层从已去除所述其余部分的所述表面凸起，以及对所述表面进行化学机械抛光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技有限公司，其通讯地址为：710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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