航天科工武汉磁电有限责任公司程博获国家专利权
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龙图腾网获悉航天科工武汉磁电有限责任公司申请的专利基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211510392.7，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法是由程博;王俊鹏;尹生;娄朝辉;刘晓宁;陈园胜设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法，该结构包括底部的金属层，其上依次交叉层叠设置间隔支撑层和电阻膜层，最上层的电阻膜层包含一个十字型结构和一个中部空心的方环结构，其余电阻膜层为方片结构；间隔支撑层的厚度为5~9mm，电阻膜层的方阻为162~343Ohmsq。该吸波结构具备优异低频的吸波性能，在1.5GHz~2.4GHz内，反射损失小于‑15dB，且在1.4GHz~18.6GHz内，能保持反射损失小于‑12.5dB。
本发明授权基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多层电阻膜的宽带吸波结构，其特征在于，包括底部的金属层，其上依次交叉层叠设置间隔支撑层和电阻膜层，电阻膜层设置为4层，最上层的电阻膜层包含一个十字型结构和一个中部空心的方环结构，且十字形结构和方环结构并排设置，金属层与最上层的电阻膜层之间的其他三层电阻膜层为长方形结构，每层长方形结构由两片正方形结构组成，每层的一片正方形结构位于十字形结构的正下方，另一片正方形结构位于方环结构的正下方，正方形结构的边长为7.4~9.8mm，两片正方形结构之间留有空隙，空隙宽度为0.2~2.6mm； 4层电阻膜层的方阻计为Rs1、Rs2、Rs3、和Rs4，其中Rs3＞Rs4＞Rs2＞Rs1；第一层电阻膜提升C与Ku波段的吸波性能，第二电阻膜提升C、X与Ku波段的吸波性能，第三层提升L、S与C波段的吸波性能，第四层提升C与Ku波段的吸波性能，通过四层电阻膜组合协同作用，使吸波结构在L~Ku波段均有吸波性能；间隔支撑层的厚度为5~9mm，电阻膜层的方阻为162~343Ohmsq。
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