株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社吉冈启获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利氮化物半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210077077.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权氮化物半导体装置是由吉冈启;杉山亨设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及连接部件，将所述保护环连接于所述基板。
本发明授权氮化物半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体装置，具备： 导电性的基板； 氮化物半导体层，设于所述基板上； 第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层； 第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层； 第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间； 保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及 连接部件，将所述保护环连接于所述基板。
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