意法半导体(鲁塞)公司A·马扎基获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211129436.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路是由A·马扎基;J-M·瓦赞设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路。一种集成电路包括逻辑部分，所述逻辑部分包括沿第一方向且以互补半导体阱的交替布置为平行的行的标准单元。在标准单元中至少一个电容性填充结构属于两个相邻行并且包括导电电枢和第一阱之间的电容性交界面，所述第二阱在所述第一方向上的范围在所述电容性填充结构的长度之上被中断，使得所述第一阱在第二方向上占据所述电容性填充结构的两个相邻行的宽度。导电结构电连接电容性填充结构任一侧上的第二阱。
本发明授权包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 逻辑部分，包括沿第一方向布置为平行的行的标准单元、并且具有固定宽度，所述固定宽度在垂直于所述第一方向的第二方向上覆盖具有第一类型掺杂的第一半导体阱的一半宽度和具有与所述第一类型相对的第二类型掺杂的第二半导体阱的一半宽度； 其中所述第一半导体阱和所述第二半导体阱中的每个半导体阱由两个相邻行共享；以及 电容性填充结构，位于所述标准单元之间并且属于两个相邻行，并且所述电容性填充结构包括在导电电枢和所述第一半导体阱之间的电容性交界面； 其中所述第二半导体阱在所述第一方向上的范围在所述电容性填充结构的长度之上中断，使得所述第一半导体阱在所述第二方向上占据所述电容性填充结构的所述两个相邻行的宽度；以及 其中所述电容性填充结构还包括导电结构，所述导电结构被配置为在所述第一方向上电连接在所述电容性填充结构的相对侧上的所述第二半导体阱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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