中国人民解放军国防科技大学王广获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种二维硒化钨的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211536717.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种二维硒化钨的生长方法是由王广;吕志权;周溯媛;杨鸣;彭刚设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维硒化钨的生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。
本发明授权一种二维硒化钨的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种二维硒化钨的生长方法，其特征是，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长时间为3min，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨，迅速降温以阻止硒化钨沉积的方式为，将衬底所在的装置暴露在外界，以迅速降温；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体，保护气体的流速为80-120sccm； 所述衬底为SiO2Si衬底； 所述目标温度为1150℃，化学气相沉积的气压为标准大气压； 进行化学气相沉积时，将保护气体从靶材吹扫向衬底，保护气体的气流速度为80-120sccm； 硒化钨和衬底都放置在化学气相沉积的管式炉中，硒化钨置于管式炉的中部，衬底距离硒化钨的距离为19-25cm。
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