联华电子股份有限公司叶治东获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111077470.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法是由叶治东;卢明昌设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底，一第一III‑V族化合物层设置在基底上，一第二III‑V族化合物层埋入于第一III‑V族化合物层，一P型氮化镓栅极埋入于第二III‑V族化合物层，一栅极电极设置于第二III‑V族化合物层上并且接触P型氮化镓栅极，一源极电极设置于栅极电极的一侧，一漏极电极设置于栅极电极的另一侧。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，包含： 基底； 第一III-V族化合物层，设置在该基底上； 第二III-V族化合物层，埋入于该第一III-V族化合物层，其中该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同； P型氮化镓栅极，埋入于该第二III-V族化合物层； 栅极电极，设置于该第二III-V族化合物层上并且接触该P型氮化镓栅极； 源极电极，设置于该栅极电极的一侧、位于该第二III-V族化合物层上并且接触该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层；以及 漏极电极，设置于该栅极电极的另一侧、位于该第二III-V族化合物层上并且接触该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层， 其中该第二III-V族化合物层的上表面、该第一III-V族化合物层的上表面和该P型氮化镓栅极的上表面切齐。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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