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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所申请的专利带有过流保护的高边功率开关驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320175.1，技术领域涉及：H03K17/082；该发明授权带有过流保护的高边功率开关驱动电路是由王浩;徐杰;牛伟;冯健朋;杨靖宇;党立设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本带有过流保护的高边功率开关驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开的带有过流保护的高边功率开关驱动电路，属于功率型MOSFET驱动的技术领域，包括与非门，延时电路、与门、驱动电路、电阻R1、P沟道MOSFET和过流检测电路。MOSFET驱动电路可通过检测器件VDSON的大小，判断MOSFET芯片是否处于过流情况，但基于VDSON的过流检测会受到负载是否开路、MOSFET是否导通的影响。本发明通过监控VDSON的大小实现P沟道MOSFET的过流检测功能，当控制信号EN重新使能时，才会恢复输出。经验证，本发明能保证电磁阀正常工作，增加产品的可靠性，满足航空装备国产化的研制需求。

本发明授权带有过流保护的高边功率开关驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种带有过流保护的高边功率开关驱动电路，其特征在于，包括与非门电路、延时电路、与门电路、驱动电路、电阻R1、P沟道MOS管和过流检测电路，其中： 外部软件控制信号EN输出端分别与所述与门电路和与非门电路的一个输入端电连接，过流检测电路的输出端与所述与非门电路的另一输入端连接； 所述延时电路的输入端与所述与非门电路的输出端相连，且输出端与所述与门电路的另一输入端相连； 所述与门电路的输出端与驱动电路的输入端相连，并且电阻R1的两端分别与所述驱动电路输出端和P沟道MOS管的栅极相连； 所述过流检测电路的两个输入端分别与所述驱动电路的输出端和P沟道MOS管的漏极相连，且所述P沟道MOS管的源极上连接有电源VDD； 所述延时电路包括电阻R2、电容C1和二极管Q3，其中：所述电阻R2的输入端与所述与非门电路的输出端和二极管Q3的阳极相连，输出端与所述二极管Q3的阴极和所述电容C1的输入端相连，且作为所述与门电路的一个输入端，所述电容C1的输出端接地； 所述延时电路的延迟时间τ与R2、C1的关系为：τ=K电阻R2的阻值电容C1的容值，其中，常数K值由所述与非门输出高电平和与门输入高电平的比值所确定； 所述驱动电路包括电阻R6、电阻R7、电阻R8和NPN型的三极管Q4，其中：所述电阻R8两端分别与所述NPN三极管Q4的基极和与门电路的输出端相连，所述NPN三极管Q4的集电极与电阻R7一端相连，所述电阻R7另一端分别与所述电阻R6一端和电阻R1的输入端相连，所述电阻R6另一端与VDD电源相连，所述三极管Q4的发射极接地。

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