华虹半导体(无锡)有限公司李琳获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211397249.1，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法是由李琳;谈娟;王妍;管毓崧;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层，其中，第一氮化硅层、第一介质层和衬底中形成有浅沟槽隔离结构；刻蚀第三介质层、第二氮化硅层、第二介质层、浅沟槽隔离结构和衬底以形成深沟槽隔离结构的沟槽；在沟槽的内壁上形成衬氧化层；在沟槽中沉积第一高密度等离子体膜层；在沟槽中沉积高深宽比工艺膜层，以形成气隙；在沟槽中沉积第二高密度等离子体膜层。根据本申请，确保深沟槽隔离结构中形成的气隙的侧壁和深沟槽隔离结构的侧壁之间有足够大的距离的同时尽可能的压低气隙的高度，最大限度的提高器件的隔离电压。
本发明授权具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层，其中，所述第一氮化硅层、所述第一介质层和所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构； 刻蚀所述第三介质层、所述第二氮化硅层、所述第二介质层、所述浅沟槽隔离结构和所述衬底以形成所述深沟槽隔离结构的沟槽； 在所述沟槽的内壁上形成衬氧化层； 在所述沟槽中沉积第一高密度等离子体膜层； 在所述沟槽中沉积高深宽比工艺膜层，以形成气隙； 在所述沟槽中沉积第二高密度等离子体膜层。
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