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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利嵌入式SiGe沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428769.4，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权嵌入式SiGe沉积方法是由曹云;李佳佳;朱忠华;魏芳设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式SiGe沉积方法在说明书摘要公布了：本发明本提供一种嵌入式SiGe沉积方法，依据产品版图设计中IO区域的占比，选择不同的冗余图形对产品版图设计进行填充，在确保有源区图形和栅极图形满足设计规则的前提下有效的改善锗硅沉积密度，节约锗硅工艺生长周期，提升产能，大大提升制造者的经济效益。进一步的，本发明提供的嵌入式SiGe沉积方解决了同一工艺平台下不同产品设计导致的锗硅沉积密度差异过大的问题，保证工艺偏差的稳定性。有效的解决部分产品因锗硅沉积密度过低影响锗硅沉积速率的问题，提高流片的速度。

本发明授权嵌入式SiGe沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式SiGe沉积方法，其特征在于，包括： 获取产品的版图设计，所述版图设计中至少包括有源区域、栅极区域、锗硅区域及IO区域； 计算版图设计中IO区域的占比，根据IO区域的占比与第一阈值d1的差值G的不同，选择不同锗硅沉积密度的冗余图形对所述版图设计进行填充，其中，所述IO区域的占比为IO设计标记层次的面积与所述版图设计总的面积之比； 根据填充后的版图设计出版光罩，并进行嵌入式锗硅沉积工艺；其中，根据IO区域的占比与第一阈值d1的差值G的不同，选择不同锗硅沉积密度的冗余图形对所述版图设计进行填充，包括： 当G≤0，不通过冗余图形填充版图设计的方式修正锗硅沉积密度； 当G＞0，通过冗余图形填充所述版图设计的方式修正锗硅沉积密度；其中， 当G＞0，通过冗余图形填充版图设计的方式修正锗硅沉积密度，包括：根据G与第二阈值d2的关系，选择不同锗硅沉积密度的冗余图形对版图设计进行填充，其中， 当0＜G≤d2，根据版图设计中冗余图形可填充区域的大小复制冗余图形中的可拓展重复单元，使得锗硅沉积工艺中硅凹穴个数增加，来提高版图设计整体的锗硅沉积密度； 当G＞d2，根据版图设计中冗余图形可填充区域的大小复制冗余图形中的可拓展重复单元，使得锗硅沉积工艺中硅凹穴个数增加的同时，对可拓展区域单元个数小于设定值的冗余图形中的有源区图形进行合并，加大硅凹穴的面积，提高版图设计整体的锗硅沉积密度。

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