杭州电子科技大学王佳乐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115734703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211467879.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件是由王佳乐;周铁军;樊浩东;骆泳铭设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件在说明书摘要公布了：本发明公开了基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件，自下而上包括衬底层、缓冲层、自旋流层、复合自由层、势垒层、参考层和顶部电极层。其中复合自由层包括两个铁磁层，与设置在铁磁层间的楔形耦合层。其中楔形耦合层可以调节层间交换强度，并且产生巨大交换场梯度，从而提供一个额外的面外转矩，帮助器件在电流驱动下实现大比率的无磁场磁化翻转。本申请通过人工反铁磁材料制作的自旋存储器件器件相较于单一的铁磁或反铁磁材料，具有零净磁矩、抗干扰能力强、翻转速度快并且易于读写等特点，在磁存储领域具有很强的竞争力。
本发明授权基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件在权利要求书中公布了：1.基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件，其特征在于：包括多个最小存储单元，每个最小存储单元自下而上分别是衬底层、缓冲层、自旋流层、复合自由层、势垒层、参考层和顶部电极层；所述复合自由层自下而上分别为第一铁磁层、耦合层和第二铁磁层； 所述缓冲层选择厚度为1nm的Ta膜；所述自旋流层选择厚度为5.5nm的Pt膜；所述第一铁磁层为厚度为0.6～1.4nm的Co膜；耦合层为楔形的Ir膜，中心厚度为0.6～0.7nm；第二铁磁层从下到上为Co膜和CoFeB膜，其中Co膜的厚度为0.1～0.2nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励