中国科学院微电子研究所姚佳欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种围栅器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211520488.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种围栅器件及其制造方法是由姚佳欣;魏延钊;曹磊;张青竹;殷华湘设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种围栅器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种围栅器件及其制造方法，提供衬底；在衬底上形成具有第一掺杂的缓冲层；缓冲层包括第一掺杂区和位于第一掺杂区上方的第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度为第一掺杂浓度，第二掺杂区的掺杂浓度为第二掺杂浓度，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度；在缓冲层上形成第一外延层和第二外延层交替层叠的堆叠层；在堆叠层、缓冲层和衬底中形成鳍，鳍的中部为沟道区；将沟道区中的第一外延层去除，并形成包围沟道区中第二外延层的栅极。这样，掺杂浓度较大的第一掺杂区可以抑制亚Fin寄生体硅沟道的关态漏电，掺杂浓度较小的第二掺杂区可以抑制亚Fin寄生体硅沟道与源漏区之间的隧穿电流，从而最大程度地在关态下抑制器件漏电，提高器件性能。
本发明授权一种围栅器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种围栅器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成具有第一掺杂的缓冲层；所述缓冲层由第一掺杂区和位于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区组成，所述第一掺杂区的掺杂浓度为第一掺杂浓度，所述第二掺杂区的掺杂浓度为第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度高于所述第二掺杂浓度； 在所述缓冲层表面上形成第一外延层和第二外延层交替层叠的堆叠层； 在所述堆叠层、所述缓冲层和所述衬底中形成鳍；所述鳍的中部为沟道区； 将所述沟道区中的第一外延层去除，并形成包围所述沟道区中第二外延层的栅极； 所述缓冲层的厚度大于等于2nm，且小于等于20nm； 在NMOS区域，所述第一掺杂的掺杂类型为P型； 在PMOS区域，所述第一掺杂的掺杂类型为N型。
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