清华大学唐建石获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211482540.9，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权芯片及其制备方法是由唐建石;安然;李怡均;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种芯片及其制备方法，该芯片包括衬底、控制电路、存内计算层和近存计算层；控制电路设置在衬底上，存内计算层和近存计算层设置在控制电路的远离衬底的一侧，其中，存内计算层设置在近存计算层的靠近或者远离衬底的一侧；存内计算层包括多个存储器，近存计算层包括多个垂直互补型场效应晶体管，多个存储器和多个垂直互补型场效应晶体管电连接于控制电路。该芯片的控制电路、存内计算层和近存计算层可以设置在同一衬底上，存内计算层和近存计算层可以分别执行不同的计算功能，使得芯片可以处理复杂的神经网络，例如深度学习超分辨率算法等。
本发明授权芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片，包括： 衬底， 控制电路，设置在所述衬底上， 存内计算层和近存计算层，设置在所述控制电路的远离所述衬底的一侧，其中，所述存内计算层设置在所述近存计算层的靠近或者远离所述衬底的一侧； 其中，所述存内计算层包括多个存储器，所述近存计算层包括多个垂直互补型场效应晶体管，所述多个存储器和所述多个垂直互补型场效应晶体管电连接于所述控制电路， 所述多个垂直互补型场效应晶体管中的每个包括： 第一半导体层和第一源漏电极层，其中，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层的远离或者靠近所述衬底的一侧， 第一绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述第一源漏电极层的远离所述衬底的一侧， 第一栅极，设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底的一侧， 第二绝缘层，设置在所述第一栅极的远离所述衬底的一侧， 第二半导体层和第二源漏电极层，设置在所述第二绝缘层的远离所述衬底的一侧，其中，所述第二源漏电极层设置在所述第二半导体层的远离或者靠近所述衬底的一侧。
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