爱思开海力士有限公司崔圭辰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件以及制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210367525.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体器件以及制造其的方法是由崔圭辰;马圣民;沈揆赞设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及制造其的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件以及制造其的方法。半导体器件可以包括第一电容器和第二电容器。第一电容器可以包括第一下电极、第一上电极以及在第一下电极与第一上电极之间布置在第一高度的第一介电层。第二电容器可以被放置为与第一电容器相间隔。第二电容器可以包括第二下电极、第二上电极、以及在第二下电极和第二上电极之间布置在不同于第一高度的第二高度的第二介电层。
本发明授权半导体器件以及制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一电容器，其包括第一下电极、第一上电极以及在所述第一下电极与所述第一上电极之间布置在第一高度的第一介电层；以及 第二电容器，其与所述第一电容器相间隔，所述第二电容器包括第二下电极、第二上电极以及在所述第二下电极与所述第二上电极之间布置在不同于所述第一高度的第二高度的第二介电层， 其中，所述第一下电极包括： 第一部分，其具有包括闭合的下表面和开放的上表面的筒形状；以及 第二部分，其从所述第一下电极的所述第一部分向下延伸， 其中，所述第一上电极包括： 第一部分，其具有延伸到所述第一下电极的所述第一部分中的棒形状；以及 第二部分，其从所述第一上电极的所述第一部分向上延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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