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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211304498.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法是由马趁义;张瑞麟设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法，半导体结构包括自下而上依次包括PMD、NDC层、TEOS层、ULK层；堆叠在ULK层上的叠层，叠层自下而上由第一NFDARC层、TiN层及第二NFDARC层组成；刻蚀叠层及ULK层至露出TEOS层上表面；刻蚀叠层后形成第一宽度的第一沟槽；刻蚀ULK层形成第二宽度的第二沟槽；在第一、第二沟槽斜街处形成第一台阶；沉积保护层，保护层覆盖在第二NFDARC层、第一、第二沟槽侧壁、第一台阶处及露出的TEOS层上；去除第二NFDARC层上及露出的TEOS层上的保护层；沿第一沟槽侧壁的保护层和第二沟槽侧壁的保护层同时刻蚀ULK层、TEOS层和NDC层至露出PMD层为止，形成第一宽度的第三沟槽和第二宽度的通孔；去除剩余的保护层。

本发明授权一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括：PMD层；位于所述PMD层上的NDC层；位于所述NDC层上的TEOS层；位于所述TEOS层上的ULK层；堆叠在所述ULK层上的叠层，所述叠层自下而上由第一NFDARC层、TiN层以及第二NFDARC层组成； 步骤二、刻蚀所述叠层以及所述ULK层至露出所述TEOS层上表面为止；并且刻蚀所述叠层后形成第一宽度的第一沟槽；刻蚀所述ULK层形成第二宽度的第二沟槽；所述第一宽度大于所述第二宽度；并且所述第一、第二沟槽贯通，在所述第一、第二沟槽相接处形成第一台阶； 步骤三、在所述半导体结构上沉积一层保护层，所述保护层覆盖在第二NFDARC层上表面、所述第一、第二沟槽侧壁、所述第一台阶处以及露出的所述TEOS层上表面；所述保护层为TaN或TiN； 步骤四、对所述保护层进行回刻，去除所述第二NFDARC层上表面以及露出的所述TEOS层上表面的所述保护层； 步骤五、进行AIO刻蚀，所述AIO刻蚀包括：沿所述第一沟槽侧壁的所述保护层和所述第二沟槽侧壁的所述保护层同时刻蚀所述ULK层、所述TEOS层和NDC层至露出所述PMD层上表面为止，形成第一宽度的第三沟槽和第二宽度的通孔；所述AIO刻蚀后，剩余的所述保护层依附在第三沟槽的所述叠层侧壁以及所述通孔的ULK层侧壁； 步骤六、进行湿法清洗去除剩余的所述保护层。

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