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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110808511.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;朱振;张东东设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法。由下至上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、Alx2Ga1‑x2As下渐变波导层、Alx3Ga1‑x3AsN过渡层、Iny1Ga1‑y1As量子阱层、Aly2Ga1‑y2AsP过渡层、Aly3Ga1‑y3As上渐变波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明通过非对称组分渐变结构波导结构来降低界面上的电压，避免了电压损耗，也防止了波导层中的Al组分向量子阱中进行扩散，降低串联电阻将光场向N侧偏移，降低光吸收提升输出功率。同时在量子阱两侧N过渡层和P过渡层作为第三组不对称结构，在保留了极端双不对称结构的优点的同时，降低了阈值电流，提升了温度特性，提高了转换效率，完美解决的极端双不对称的缺点。

本发明授权一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、Alx2Ga1-x2As下渐变波导层、Alx3Ga1-x3AsN过渡层、Iny1Ga1-y1As量子阱层、Aly2Ga1-y2AsP过渡层、Aly3Ga1-y3As上渐变波导层、P限制层和欧姆接触层； 其中，所述Alx2Ga1-x2As下渐变波导层的厚度为0.8-1.5μm，x2由0.3渐变至0.4，硅原子的掺杂浓度为5×1017-2×1018个原子cm3；所述Alx3Ga1-x3AsN过渡层的厚度为10-30nm，x3由0.4渐变至0.1；所述Iny1Ga1-y1As量子阱层的厚度为5-10nm，0.1≤y1≤0.2；所述Aly2Ga1-y2AsP过渡层的厚度为3-8nm，y2由0.1渐变至0.4；所述Aly3Ga1-y3As上渐变波导层的厚度为5-15nm，y3由0.3渐变至0.9，硅原子的掺杂浓度为5×1017-1×1018个原子cm3。

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