上海类比半导体技术有限公司王建获国家专利权
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龙图腾网获悉上海类比半导体技术有限公司申请的专利一种电容器及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211099261.4，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权一种电容器及芯片是由王建;颜志豪;李志豪;张泽飞;张俊设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容器及芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种电容器及芯片，涉及芯片设计领域。其中，电容器包括：衬底、阱区、多晶硅第一区域、多晶硅第二区域、有源区以及电容器本体。其中，衬底掺杂有第一类型的离子，阱区形成于衬底的表面，并从衬底的表面延伸至衬底的内部，阱区掺杂有第二类型的离子。第一类型的离子与第二类型的离子的极性相反。多晶硅第一区域和多晶硅第二区域淀积于阱区的上方的部分区域，有源区注入于相邻两个多晶硅第二区域之间。电容器本体设置于多晶硅第一区域的上方区域。将此电容器应用于芯片，可以提高芯片中设置电容器区域的有源区和多晶硅的密度，进而提高芯片的可靠性。
本发明授权一种电容器及芯片在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于，包括：衬底、阱区、多晶硅第一区域、多晶硅第二区域、有源区以及电容器本体，其中； 所述衬底掺杂有第一类型的离子； 所述阱区形成于所述衬底的表面，并从所述衬底的表面延伸至所述衬底的内部；所述阱区掺杂有第二类型的离子；所述第一类型的离子与所述第二类型的离子的极性相反； 所述多晶硅第一区域和所述多晶硅第二区域淀积于所述阱区的上方的部分区域； 所述有源区注入于相邻两个所述多晶硅第二区域之间； 所述电容器本体设置于所述多晶硅第一区域的上方区域。
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