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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211198110.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法是由蔡亚果;张武志;曹亚民;赵庆贺设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CIS的深沟槽隔离结构，包括：通过对第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成的深沟槽，深沟槽的内侧表面具有由等离子体刻蚀产生界面缺陷。形成于深沟槽中的第一半导体外延层、第二介质层和第三导电材料层。在最靠近外围区的深沟槽的部分区域中还形成有第四导电材料层。第四导电材料层和外部电极连接。外部电极连接到外部控制模块，外部控制模块提供外部电压到各第三导电材料层上以对深沟槽的内侧表面的界面态进行调控，以消除界面缺陷对界面态的不利影响。本发明还公开了一种CIS的深沟槽隔离结构的制造方法。本发明能对深沟槽隔离结构和半导体衬底之间的界面处的界面态进行调控，能优化界面态并从而减少暗电流和白像素。

本发明授权CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CIS的深沟槽隔离结构，其特征在于：第一半导体衬底上包括像素区和外围区；所述外围区环绕在所述像素区的周侧； 深沟槽隔离结构形成于所述像素区中，各所述深沟槽隔离结构之间的区域为一个像素单元的形成区域；所述深沟槽隔离结构包括： 通过对所述第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成于所述第一半导体衬底中的深沟槽，所述深沟槽的顶部表面和所述第一半导体衬底的第一表面相平，所述深沟槽的内侧表面具有由所述等离子体刻蚀产生界面缺陷；各所述深沟槽相连通； 形成于所述深沟槽内侧表面的第一半导体外延层； 形成于所述深沟槽中的所述第一半导体外延层表面的第二介质层； 将所述深沟槽完全填充的第三导电材料层，各所述第三导电材料层的顶部表面和所述第三导电材料层的顶部表面相平； 在最靠近所述外围区的所述深沟槽的部分区域中还形成有第四导电材料层，所述第四导电材料层形成于所述第三导电材料层的顶部表面上并延伸到所述深沟槽外部的所述第一半导体衬底的第一表面上；所述第四导电材料层和所述深沟槽外的所述第一半导体衬底的第一表面之间间隔有第五介质层； 所述第四导电材料层和外部电极连接； 所述外部电极连接到外部控制模块，所述外部控制模块提供外部电压到各所述第三导电材料层上以对所述深沟槽的内侧表面的界面态进行调控，以消除所述界面缺陷对所述界面态的不利影响。

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