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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利用于静电防护的GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211155847.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于静电防护的GGNMOS结构是由范炜盛设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于静电防护的GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于静电防护的GGNMOS结构，包括：衬底、两组电流泄放模块和环形重掺杂区，各组所述电流泄放模块包括：多个泄放单元；其中，各所述泄放单元包括：两个源端、一个漏端、两个栅极、一个浮空重掺杂区、多个轻掺杂漏区和隔离层。本申请在各所述泄放单元中，通过在漏端中嵌入浮空重掺杂区，形成DN+PsubP+Diode；通过调节浮空重掺杂区与子漏端之间的距离使Diode的击穿电压大于VDD并且小于寄生NPN的触发电压，从而能够在寄生的NPN触发前，Diode提前触发，向衬底内部注入大量的电子、空穴对，提高衬底的电流，降低触发电压，使得器件均匀导通，从而提高GGNMOS的ESD防护性能。

本发明授权用于静电防护的GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种用于静电防护的GGNMOS结构，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底中的两组电流泄放模块和环形重掺杂区，其中，两组所述电流泄放模块呈中心对称，所述环形重掺杂区环绕两组所述电流泄放模块设置；其中， 各组所述电流泄放模块包括：多个并排设置的泄放单元；其中， 所述泄放单元包括：两个源端、一个漏端、两个栅极、一个浮空重掺杂区、多个轻掺杂漏区和隔离层，其中，两个所述源端位于所述漏端的两侧；所述轻掺杂漏区分别位于所述源端、所述漏端的两侧；所述浮空重掺杂区嵌于所述漏端中以将所述漏端分割成两个子漏端；所述隔离层位于所述衬底上并且覆盖所述子漏端的至少部分表面以及所述浮空重掺杂区的至少部分表面以将所述浮空重掺杂区和所述子漏端隔离开； 所述隔离层包括：金属硅化物阻挡层或多晶硅层，其中，当所述隔离层包括：金属硅化物阻挡层时，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述浮空重掺杂区、所述子漏端的部分表面，以及所述浮空重掺杂区和所述子漏端之间的衬底表面；当所述隔离层包括：多晶硅层时，所述多晶硅层覆盖所述浮空重掺杂区和所述子漏端之间的衬底表面； 所述浮空重掺杂区与所述浮空重掺杂区侧的两个所述子漏端均保持一定的间距。

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