长江存储科技有限责任公司肖亮获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、存储系统及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211243972.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统及电子设备是由肖亮;李倩;王博;伍术;华子群设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、存储系统及电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括核心区；所述核心区包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构以及贯穿所述堆叠结构且延伸进入所述半导体层的存储沟道结构和虚拟沟道结构；所述核心区包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域包括所述存储沟道结构，所述第二区域包括所述虚拟沟道结构；所述核心区还包括位于所述存储沟道结构和所述虚拟沟道结构之间，且贯穿所述半导体层的隔离结构。
本发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括核心区； 所述核心区包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构以及贯穿所述堆叠结构且延伸进入所述半导体层的存储沟道结构和虚拟沟道结构；所述核心区包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域包括所述存储沟道结构，所述第二区域包括所述虚拟沟道结构； 所述核心区还包括位于所述存储沟道结构和所述虚拟沟道结构之间，且贯穿所述半导体层的隔离结构； 其中，所述半导体器件包括多个存储面，每个存储面包括多个存储块；所述隔离结构为环形结构，每个隔离结构包围一个存储面的所有存储沟道结构。
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