长鑫存储技术有限公司何梦程获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体产品的量测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211120399.8，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种半导体产品的量测方法及装置是由何梦程;李金光;张燕杰;庄金晓设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体产品的量测方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体产品的量测方法及装置，用以在不增加成本的前提下，避免随机选择腔室内的半导体产品加以量测所带来的弊端。本申请提供的一种半导体产品的量测方法，包括：获取半导体产品的当前制程信息，所述当前制程信息包括当前制程配方和所述当前制程配方对应的机台参数；获取所述当前制程信息对应的量测配置参数，所述量测配置参数中包括所述机台需要进行半导体产品量测的目标腔室；并且，根据所述当前制程信息对应的量测配置参数，实现对所述目标腔室内的半导体产品进行量测。
本发明授权一种半导体产品的量测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体产品的量测方法，其特征在于， 该方法包括： 获取半导体产品的当前制程信息，所述当前制程信息包括当前制程配方和所述当前制程配方对应的机台参数； 获取所述当前制程信息对应的量测配置参数，所述量测配置参数中包括所述机台需要进行半导体产品量测的目标腔室；并且，根据所述当前制程信息对应的量测配置参数，实现对所述目标腔室内的半导体产品进行量测； 获取机台上报的半导体产品在炉管内的位置信息； 根据所述机台上报的半导体产品在炉管内的位置信息，以及所述量测配置参数，确定不需要进行量测的半导体产品； 对于不需要进行量测的半导体产品在量测站点进行过站处理； 根据所述当前制程信息对应的量测配置参数，实现对所述目标腔室内的半导体产品进行量测，包括： 根据所述机台上报的半导体产品在炉管内的位置信息，以及所述量测配置参数，确定需要进行量测的半导体产品； 对于需要进行量测的半导体产品在量测站点进行量测，并在收值站点收集量测得到的数据。
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