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龙图腾网获悉华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)申请的专利一种微腔磁敏感器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211231587.8，技术领域涉及：H10N35/01；该发明授权一种微腔磁敏感器件及其制备方法是由王建波;王晨晟;吴新建;齐志强;王小兵设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微腔磁敏感器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微腔磁敏感器件及其制备方法，微腔磁敏感器件的制备方法包括：步骤S10，提供一基底，在基底之上制备第一绝缘层，在第一绝缘层对应基底的中间位置制备一凹槽；步骤S20，在凹槽内沉积一层超磁致伸缩薄膜；步骤S30，在第一绝缘层之上制备覆盖超磁致伸缩薄膜的第二绝缘层；步骤S40，采用套刻工艺，在基底之上制备覆盖有光刻胶的圆盘图形，以覆盖有光刻胶的圆盘图形为阻挡层，刻蚀绝缘层的侧面，以得到包裹有超磁致伸缩薄膜的微腔结构；本发明采用绝缘层完全包裹超磁致伸缩薄膜的方案，可以在不降低微腔结构的品质的前提下，有效的防止酸性溶液对超磁致伸缩薄膜的损坏，具有低成本、刻蚀设备简单、易维护、且不损坏磁性薄膜性能等优点。

本发明授权一种微腔磁敏感器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微腔磁敏感器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S10，提供一基底，在所述基底之上制备第一绝缘层，在所述第一绝缘层对应所述基底的中间位置制备一凹槽；步骤S20，在所述凹槽内沉积一层超磁致伸缩薄膜；步骤S30，在所述第一绝缘层之上制备第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖超磁致伸缩薄膜；步骤S40，采用套刻工艺，在基底之上制备覆盖有光刻胶的圆盘图形，且所述圆盘图形覆盖所述凹槽；以覆盖有光刻胶的圆盘图形为阻挡层，刻蚀所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的侧面，以得到包裹有超磁致伸缩薄膜的微腔结构；所述基底为单晶硅片，所述第一绝缘层为第一二氧化硅氧化层；步骤S10具体包括：提供一片单晶硅片，在所述单晶硅片之上制备第一二氧化硅氧化层，使用光刻和缓冲氢氟酸刻蚀的方法，在第一二氧化硅氧化层表面得到圆形凹槽，所述圆形凹槽深度小于第一二氧化硅氧化层的厚度；所述第二绝缘层为第二二氧化硅氧化层；步骤S30具体包括：采用等离子增强气相沉积法在所述第一二氧化硅氧化层之上沉积一层第二二氧化硅氧化层，以使所述超磁致伸缩薄膜完全包裹在二氧化硅氧化层中，以防止所述超磁致伸缩薄膜氧化和损坏；步骤S40具体包括：步骤S41，采用套刻工艺，在所述第二二氧化硅氧化层表面上方制备覆盖有光刻胶的圆盘图形，且所述圆盘图形的尺寸大于所述圆形凹槽的尺寸；步骤S42，以覆盖有光刻胶的圆盘图形为阻挡层，使用缓冲氢氟酸刻蚀的方法对所述第一二氧化硅氧化层和所述第二二氧化硅氧化层进行刻蚀，以使包裹所述超磁致伸缩薄膜的二氧化硅氧化层形成预设倾角和预设厚度的圆盘结构；步骤S43，使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液作为刻蚀溶液对硅基底进行湿法刻蚀，去除覆盖有光刻胶的圆盘图形，以此获取包裹有超磁致伸缩薄膜的微腔结构。

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