无锡华润上华科技有限公司黄璐获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利ESD保护器件、保护电路及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110703742.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权ESD保护器件、保护电路及制备方法是由黄璐;黄勇;颜彦;周婉艺;吴林;周程;陈志萍;史海丽设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本ESD保护器件、保护电路及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种ESD保护器件、保护电路及制备方法，所述ESD保护器件包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上方的具有NMOS管的SCR结构、耦合结构及触发结构；其中，所述耦合结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构的负极连接，耦合电压输出与所述SCR结构中NMOS管的栅极连接；所述触发结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构中寄生NPN管的基极连接。通过本发明提供的ESD保护器件、保护电路及制备方法，解决了现有技术中ESD保护器件触发电压过高的问题。
本发明授权ESD保护器件、保护电路及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ESD保护器件，其特征在于，所述ESD保护器件包括： 半导体衬底，形成于所述半导体衬底上方的具有NMOS管的SCR结构、耦合结构及触发结构；其中， 所述耦合结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构的负极连接，耦合电压输出与所述SCR结构中NMOS管的栅极连接；所述触发结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构中寄生NPN管的基极连接； 其中，所述耦合结构包括一二极管和一电阻，所述二极管的阴极与所述SCR结构的正极连接，阳极与所述SCR结构中NMOS管的栅极连接，并通过所述电阻与所述SCR结构的负极连接，在所述SCR结构的正极有正ESD脉冲时，通过所述耦合结构将所述SCR结构中NMOS管的栅极电压拉高，使NMOS的沟道导通，形成MOS泄放通道；在所述SCR结构的正极有正ESD脉冲时，通过所述触发结构触发所述SCR结构中寄生NPN管导通，进而触发SCR结构中的寄生PNP管导通，形成PNPN泄放通路。
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