中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701972.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括第一器件区、以及与第一器件区相邻的第二器件区，在第一器件区中，衬底上还形成有第一鳍部材料层，第一鳍部材料层上还形成有硬掩膜层；在第二器件区的衬底上外延生长第二鳍部材料层，第二鳍部材料层的顶部高于第一鳍部材料层的顶部；形成第二鳍部材料层之后，去除硬掩膜层；去除硬掩膜层后，在第一鳍部材料层上外延生长第三鳍部材料层，第三鳍部材料层的材料与第一鳍部材料层的材料相同；进行鳍部图形化处理，将第一鳍部材料层和第三鳍部材料层图形化为第一鳍部，将第二鳍部材料层图形化为第二鳍部。将第二鳍部材料层的高度适度增加，有利于进行鳍部图形化处理后，仍然能具有足够高度的有效鳍部。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及用于形成第二晶体管且与第一器件区相邻的第二器件区，在所述第一器件区中，所述衬底上还形成有第一鳍部材料层，所述第一鳍部材料层上还形成有硬掩膜层； 在所述第二器件区的衬底上外延生长第二鳍部材料层，所述第二鳍部材料层的顶部高于所述第一鳍部材料层的顶部； 形成所述第二鳍部材料层之后，去除所述硬掩膜层； 去除所述硬掩膜层后，在所述第一鳍部材料层上外延生长第三鳍部材料层，所述第三鳍部材料层的材料与所述第一鳍部材料层的材料相同； 进行鳍部图形化处理，将所述第一鳍部材料层和第三鳍部材料层图形化为凸立于所述第一器件区的衬底上的第一鳍部，将所述第二鳍部材料层图形化为凸立于所述第二器件区的衬底上的第二鳍部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励