上海华力集成电路制造有限公司陈亚旭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利嵌入式外延层的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210959790.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权嵌入式外延层的形成方法是由陈亚旭;李刚;曹坚设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式外延层的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种嵌入式外延层的形成方法，包括：在栅极结构之间的硅衬底中形成凹槽，栅极结构形成于硅衬底上，栅极结构的两侧形成有侧墙结构；在栅极结构之间的硅衬底上生长硅薄膜层，硅薄膜层填充凹槽；在栅极结构之间的硅薄膜层上生长磷硅层，在生长磷硅层的过程中，通入氯化氢气体以抑制磷硅层形成于侧墙结构上。本申请通过在形成栅极结构以及栅极结构两侧的侧墙结构后，在栅极结构之间的硅衬底中形成凹槽，在栅极结构之间生长硅薄膜层，在栅极结构之间生长磷硅层，由于硅薄膜层的厚度能够填充凹槽，因此硅薄膜层能够覆盖侧墙的底部，从而能够保护侧墙的底部在生长磷硅层时被通入的氯化氢气体损伤，提高了器件的可靠性。
本发明授权嵌入式外延层的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式外延层的形成方法，其特征在于，包括： 在栅极结构之间的硅衬底中形成凹槽，所述栅极结构形成于所述硅衬底上，所述栅极结构的两侧形成有侧墙结构； 在不含磷元素的气体的氛围下，在所述栅极结构之间的硅衬底上生长硅薄膜层，所述硅薄膜层填充所述凹槽且所述硅薄膜层在所述凹槽两侧的厚度覆盖所述侧墙结构的底部； 在所述栅极结构之间的硅薄膜层上生长磷硅层，在生长磷硅层的过程中，通入氯化氢气体以抑制磷硅层形成于所述侧墙结构上。
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