华东光电集成器件研究所赵娟获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115520831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211188875.X，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法是由赵娟;郭威;陈婧瑶;向圆;李奥;宋有禹;吴照川;丁艳丽设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法，它包括取第一SOI硅片和第二SOI硅片，在第一SOI硅片的顶层硅上制作与第二SOI硅片键合连接的凸台、与凸台连接的下结构层硅引线；在第一SOI硅片的顶层硅表面生成保护氧化层，去除凸台表面的氧化层；将第二SOI顶层硅与凸台表面直接键合形成上下层；去除第二SOI硅衬底，露出顶层硅，在该层表面制作金属PAD点和上结构层硅引线。本发明具有步骤简便，立体交叉结构简单明了，适用于SOI体硅MEMS工艺的硅‑硅键合质量无损伤评价。
本发明授权一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构，它包括第一SOI硅片1，其特征在于：在第一SOI硅片1上设有一组凹陷9，从而再第一SOI硅片1上形成一组凸台10，在其中两个凸台10之间的凹陷9内连接有硅引线12，在凸台10上连接有同一块第二SOI硅片2上的第二顶层硅2a，在其中两个凸台10上方的顶层硅2a之间连接有第二硅引线16，在第二顶层硅2a上设有一组PAD点15;所述的一组凸台10为五个，其中一个分布在第一SOI硅片1的中心处顶部与第二硅引线16连接，另外四个分布在不同方向，使得五个凸台10成十字形分布;所述的硅引线12和第二硅引线16为十字状分布。
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